内存时序怎么调，ddr4时序参数表( 五 )
如果你使用的是DDR200和266的内存，建议将tWR值设为2；如果使用DDR333或DDR400，则将tWD值设为3 。 如果使用DFI的主板，则tWR值建议为2 。
我的内存时序如何调节？ FX5000的一般能开核正常使用的话，超频到3G问题不大~~~唯一比较麻烦的是需要调整内存时序~~6-6-6 18 24~ 195NS~~~ 超频的话，还得考虑内存体质及CPU容错率，电压等问题 。 一般只要有基本超频知识，都能轻松完成 。 如果楼主的确完全没有基本，我只能传教程给你了
内存时序怎么调节？ 内存时序是一种参数,一般存储在内存条的SPD上，设置方式如下：
1、F12进入BIOS，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable” 。
2、BIOS设置中可能出现的其他描述有，Automatic Configuration，Auto，Timing Selectable，Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable） 。
3、内存是根据行和列寻址的，当请求触发后，最初是tRAS 。
4、预充电后，内存才真正开始初始化RAS 。 一旦tRAS激活后，RAS（Row Address Strobe ）开始进行需要数据的寻址 。
首先是行地址，然后初始化tRCD，周期结束，接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址 。 期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟 。 所以CAS是找到数据的最后一个步骤，也是内存参数中最重要的 。
扩展资料：
内存延迟参数最常见的几项为CAS(CL)、tRCD、tRP 、tRAS，这其中大多数是沿用JEDEC的内存标准而来 。 下面是几种参数的设置方式：
1、较低的CAS周期能减少内存的潜伏周期以提高内存的工作效率 。 因此只要能够稳定运行操作系统，应当尽量把CAS参数调低 。
2、tRCD(RAS To CAS Delay)： 内存行地址控制器到列地址控制器的延迟时间，参数选项有2和3这两个选择，同样是越小越好 。
3、tRP(RAS Precharge Time)： 内存行地址控制器预充电时间，参数选项有2和3这两个选择，预充电参数越小则内存读写速度就越快 。
【内存时序怎么调，ddr4时序参数表】4、tRAS(RAS Active Time)： 内存行有效至预充电的最短周期，我们可选的参数选项有5，6或者7这3个，但是在一些nForce 2 主板上的选择范围却很大，最高可到 15，最低达到 1 。 调整这个参数最好设在5－11之间 。
怎么修改内存时序 一般先把tRC和tRFC调高一点，保证这两项不影响内存的稳定性，再仔细调4个主参，等主参调好后再降低tRC和tRFC 。
对于4个主参，一般是先降CL，再降tRP，接着降tRAS，最后降tRCD 。 CL、tRCD和tRP每次降低1格，tRAS每次可以降低1-3格；通常来说，tRCD可能会比CL、tRP高1-3格，这属于正常现象，tRCD不那么容易降低 。
对于2个小参，tRC每次可以降低1-3格，tRFC每次降低3-8格 。
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