内存时序怎么调,ddr4时序参数表( 三 )


该参数的默认值为Disable(2T),如果玩家的内存质量很好,则可以将其设置为Enable(1T) 。
CAS Latency Control(tCL)
可选的设置:Auto,1,1.5,2,2.5,3,3.5,4,4.5 。
一般我们在查阅内存的时序参数时,如“3-4-4-8”这一类的数字序列,上述数字序列分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS” 。 这个3就是第1个参数,即CL参数 。
CAS Latency Control(也被描述为tCL、CL、CAS Latency Time、CAS Timing Delay),CAS latency是“内存读写操作前列地址控制器的潜伏时间” 。 CAS控制从接受一个指令到执行指令之间的时间 。 因为CAS主要控制十六进制的地址,或者说是内存矩阵中的列地址,所以它是最为重要的参数,在稳定的前提下应该尽可能设低 。
内存是根据行和列寻址的,当请求触发后,最初是tRAS(Activeto Precharge Delay),预充电后,内存才真正开始初始化RAS 。 一旦tRAS激活后,RAS(Row Address Strobe )开始进行需要数据的寻址 。 首先是行地址,然后初始化tRCD,周期结束,接着通过CAS访问所需数据的精确十六进制地址 。 期间从CAS开始到CAS结束就是CAS延迟 。 所以CAS是找到数据的最后一个步骤,也是内存参数中最重要的 。
且提高延迟能使内存运行在更高的频率,所以需要对内存超频时,应该试着提高CAS延迟 。
该参数对内存性能的影响最大,在保证系统稳定性的前提下,CAS值越低,则会导致更快的内存读写操作 。 CL值为2为会获得最佳的性能,而CL值为3可以提高系统的稳定性 。 注意,WinbondBH-5/6芯片可能无法设为3 。
RAS# to CAS# Delay(tRCD)
可选的设置:Auto,0,1,2,3,4,5,6,7 。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第2个参数,即第1个4 。 RAS# to CAS# Delay(也被描述为:tRCD、RAS to CAS Delay、Active to CMD),表示"行寻址到列寻址延迟时间",数值越小,性能越好 。 对内存进行读、写或刷新操作时,需要在这两种脉冲信号之间插入延迟时钟周期 。 在JEDEC规范中,它是排在第二的参数,降低此延时,可以提高系统性能 。 建议该值设置为3或2,但如果该值设置太低,同样会导致系统不稳定 。 该值为4时,系统将处于最稳定的状态,而该值为5,则太保守 。
如果你的内存的超频性能不佳,则可将此值设为内存的默认值或尝试提高tRCD值 。
Min RAS# Active Timing(tRAS)
可选的设置:Auto,00,01,02,03,04,05,06,07,08,09,10,11,12,13,14,15 。
该值就是该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的最后一个参数,即8 。 Min RAS# Active Time (也被描述为:tRAS、Active to Precharge Delay、Row Active Time、Precharge Wait State、Row Active Delay、Row Precharge Delay、RAS Active Time),表示“内存行有效至预充电的最短周期”,调整这个参数需要结合具体情况而定,一般我们最好设在5-10之间 。 这个参数要根据实际情况而定,并不是说越大或越小就越好 。
如果tRAS的周期太长,系统会因为无谓的等待而降低性能 。 降低tRAS周期,则会导致已被激活的行地址会更早的进入非激活状态 。 如果tRAS的周期太短,则可能因缺乏足够的时间而无法完成数据的突发传输,这样会引发丢失数据或损坏数据 。 该值一般设定为CAS latency + tRCD + 2个时钟周期 。 如果你的CAS latency的值为2,tRCD的值为3,则最佳的tRAS值应该设置为7个时钟周期 。 为提高系统性能,应尽可能降低tRAS的值,但如果发生内存错误或系统死机,则应该增大tRAS的值 。
如果使用DFI的主板,则tRAS值建议使用00,或者5-10之间的值 。
Row Precharge Timing(tRP)
可选的设置:Auto,0,1,2,3,4,5,6,7 。
该值就是“3-4-4-8”内存时序参数中的第3个参数,即第2个4 。 Row Precharge Timing (也被描述为:tRP、RAS Precharge、Precharge to active),表示"内存行地址控制器预充电时间",预充电参数越小则内存读写速度就越快 。

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