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内存时序怎么调，ddr4时序参数表( 二 )

小知识


如果使用DFI的主板，则tRP值建议2-5之间的值 。 值为2将获取最高的性能，该值为4将在超频时获取最佳的稳定性，同样的而该值为5，则太保守 。 大部分内存都无法使用2的值，需要超频才可以达到该参数 。

Row Cycle Time(tRC)
可选的设置：Auto，7-22，步幅值1 。
Row Cycle Time(tRC、RC)，表示“SDRAM行周期时间”，它是包括行单元预充电到激活在内的整个过程所需要的最小的时钟周期数 。
其计算公式是：row cycle time (tRC) = minimum row active time(tRAS) + row precharge time(tRP) 。 因此，设置该参数之前，应该明白的tRAS值和tRP值是多少 。 如果tRC的时间过长，会因在完成整个时钟周期后激活新的地址而等待无谓的延时，而降低性能 。 然后一旦该值设置过小，在被激活的行单元被充分充电之前，新的周期就可以被初始化 。

Write Recovery Time (tWD)，表示“写恢复延时” 。 该值说明在一个激活的bank中完成有效的写操作及预充电前，必须等待多少个时钟周期 。 这段必须的时钟周期用来确保在预充电发生前，写缓冲中的数据可以被写进内存单元中 。 同样的，过低的tWD虽然提高了系统性能，但可能导致数据还未被正确写入到内存单元中，就发生了预充电操作，会导致数据的丢失及损坏 。
CPU超频的详细步骤，内存时序设置具体操作 找到2条内存都能承受的一个最高工作参数
也就是参数较低的一条能工作的最高参数即可
应该是设置为 DDR3 1333 9-9-9-24-33
内存时序怎么调 内存时序 一种参数，一般存储在内存条的SPD上 。 2-2-2-8 4个数字的含义依次为：CAS Latency（简称CL值）内存CAS延迟时间，他是内存的重要参数之一，某些牌子的内存会把CL值印在内存条的标签上 。 RAS－to－CAS Delay（tRCD），内存行地址传输到列地址的延迟时间 。 Row－precharge Delay（tRP），内存行地址选通脉冲预充电时间 。 Row－active Delay（tRAS），内存行地址选通延迟 。 这是玩家最关注的4项时序调节，在大部分主板的BIOS中可以设定，内存模组厂商也有计划的推出了低于JEDEC认证标准的低延迟型超频内存模组，在同样频率设定下，最低“2-2-2-5”这种序列时序的内存模组确实能够带来比“3-4-4-8”更高的内存性能，幅度在3至5个百分点 。
在一些技术文章里介绍内存设置时序参数时，一般数字“A-B-C-D”分别对应的参数是“CL-tRCD-tRP-tRAS”，现在你该明白“2-3-3-6”是什么意思了吧？！^_^下面就这几个参数及BIOS设置中影响内存性能的其它参数逐一给大家作一介绍：
一、内存延迟时序“CL-tRCD-tRP-tRAS”的设置
首先，需要在BIOS中打开手动设置，在BIOS设置中找到“DRAM Timing Selectable”，BIOS设置中可能出现的其他描述有：Automatic Configuration、DRAM Auto、Timing Selectable、Timing Configuring By SPD等，将其值设为“Menual”（视BIOS的不同可能的选项有：On/Off或Enable/Disable），如果要调整内存时序，应该先打开手动设置，之后会自动出现详细的时序参数列表：
Command Per Clock(CPC)
可选的设置：Auto，Enable(1T)，Disable(2T) 。
Command Per Clock(CPC：指令比率，也有翻译为：首命令延迟)，一般还被描述为DRAM Command Rate、CMD Rate等 。 由于目前的DDR内存的寻址，先要进行P-Bank的选择（通过DIMM上CS片选信号进行），然后才是L-Bank/行激活与列地址的选择 。 这个参数的含义就是指在P-Bank选择完之后多少时间可以发出具体的寻址的L-Bank/行激活命令，单位是时钟周期 。
显然，也是越短越好 。 但当随着主板上内存模组的增多，控制芯片组的负载也随之增加，过短的命令间隔可能会影响稳定性 。 因此当你的内存插得很多而出现不太稳定的时间，才需要将此参数调长 。 目前的大部分主板都会自动设置这个参数 。

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