euv光刻机原理
【euv光刻机原理】euv光刻机原理是接近或接触式光刻通过无限靠近 , 复制掩模板上的图案;直写式光刻是将光束聚焦为一点 , 通过运动工件台或镜头扫描实现任意图形加工 。投影式光刻因其高效率、无损伤的优点 , 是集成电路主流光刻技术 。
光刻机(MaskAligner)是制造微机电、光电、二极体大规模集成电路的关键设备 。其分为两种 , 一种是模板与图样大小一致的contactaligner , 曝光时模板紧贴晶圆;另一种是利用类似投影机原理的stepper , 获得比模板更小的曝光图样 。高端光刻机被称为“现代光学工业之花” , 制造难度很大 , 全世界只有少数几家公司能制造 。
高端的投影式光刻机可分为步进投影和扫描投影光刻机两种 , 分辨率通常在十几纳米至几微米之间 , 高端光刻机号称世界上最精密的仪器 , 世界上已有7000万美金的光刻机 。高端光刻机堪称现代光学工业之花 , 其制造难度之大 , 全世界只有少数几家公司能够制造 。国外品牌主要以荷兰ASML(镜头来自德国) , 日本Nikon(intel曾经购买过Nikon的高端光刻机)和日本Canon三大品牌为主 。
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