美光宣布了其第五代3D NAND闪存技术
美光刚刚宣布了其第五代3D NAND闪存技术 ， 达到了创纪录的176层堆叠 。这也是美光、Intel在闪存合作上分道扬镳之后 ， 自己独立研发的第二代3D NAND闪存 。
美光、Intel合作时 ， 走的是浮动栅极闪存单元架构 ， 独立后转向电荷捕获（charge-trap）闪存单元架构 ， 第一代为128层堆叠 ， 但更多的是过渡性质 ， 用来发现、解决新架构设计的各种问题 。
正因如此 ， 美光全新176层堆叠闪存所取代的 ， 其实是96层堆叠 。
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据了解 ， 美光176层闪存其实是基于两个88层叠加而成 ， 第一批为TLC颗粒 ， 单个Die的容量为512Gb（64GB） ， 当然后期很可能会加入QLC 。
得益于新的闪存架构和堆叠技术 ， 美光将176层的厚度压缩在了45微米 ， 基本和早期的64层浮动栅极3D NAND差不多 。
这样 ， 即使在一颗芯片内封装16个Die ， 做到1TB的单颗容量 ， 厚度也不会超过1.5毫米 ， 可以轻松放入智能手机、存储卡 。
【美光宣布了其第五代3D NAND闪存技术】 传输速率提高至1600MT/s ， 而此前96/128层的都是1200MT/s ， 读写延迟相比96层改进35％ ， 相比128层改进25％ ， 混合负载性能相比96层改进15％ 。
美光表示 ， 176层闪存已经量产出货 ， 并用于一些Crucial英睿达品牌的消费级SSD ， 明年还会发布更多新产品 ， 但没有确认具体产品型号 。
责任编辑:pj
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